发明名称 |
一种结晶器铜管电镀铬的单质镍过渡层 |
摘要 |
本发明公开了一种结晶器铜管电镀铬的单质镍过渡层,所述单质镍过渡层位于结晶器铜管与电镀铬层之间,镀层厚度约3-4μm,该过渡层包括镍与铜管之间形成的镍铜冶金结合层、纯镍层以及镍与铬形成的镍铬冶金结合层三层结构;该过渡层通过电镀镀覆在结晶器铜管上,所述电镀采用的镀液成分为:氨基磺酸镍500-600g/L,硫酸镍25-35g/L,十二烷基硫酸钠55-65g/L;电镀工艺为:pH4-6,镀液温度约45-55℃,阴极电流密度4.5-6.5A/dm<sup>2</sup>,浸镀时间约10-20min。 |
申请公布号 |
CN105177656A |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201510676425.9 |
申请日期 |
2015.10.19 |
申请人 |
姜少群 |
发明人 |
姜少群 |
分类号 |
C25D7/04(2006.01)I;C25D5/14(2006.01)I;C25D3/12(2006.01)I;C25D3/04(2006.01)I |
主分类号 |
C25D7/04(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种结晶器铜管电镀铬的单质镍过渡层,其特征在于:所述单质镍过渡层位于结晶器铜管与电镀铬层之间,镀层厚度约3‑4μm,该过渡层包括镍与铜管之间形成的镍铜冶金结合层、纯镍层以及镍与铬形成的镍铬冶金结合层三层结构;该过渡层通过电镀镀覆在结晶器铜管上,所述电镀采用的镀液成分为:氨基磺酸镍500‑600g/L,硫酸镍25‑35g/L,十二烷基硫酸钠55‑65g/L;电镀工艺为:pH4‑6,镀液温度约45‑55℃,阴极电流密度4.5‑6.5A/dm<sup>2</sup>,浸镀时间约10‑20min。 |
地址 |
315113 浙江省宁波市鄞州区东吴镇东吴中路225号 |