| 发明名称 | 半导体器件有源区结构的制造方法及用该方法制造的产品 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件有源区结构的制造方法及用该方法制造的产品。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层，氧化硅层以及衬底，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内壁沉积张应力氧化物层，所述张应力氧化物层的厚度小于隔离沟槽的深度；对所述张应力氧化物层进行紫外线辐射处理，以形成张应力增强的氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN105185705A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201410275648.X | 申请日期 | 2014.06.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;王冬江 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张东梅 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件有源区结构的方法，所述方法包括：在衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；刻蚀所述氮化硅层，氧化硅层以及衬底，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内壁沉积张应力氧化物层，所述张应力氧化物层的厚度小于隔离沟槽的深度；对所述张应力氧化物层进行紫外线辐射处理，以形成张应力增强的氧化物层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||