| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置具备：半导体基板，所述半导体基板包括：第一导电型的漂移层；第二导电型的体层，其被设置于漂移层的表面侧；第一导电型的第一半导体层，其被设置在体层的表面的一部分上；和沟槽栅，其从半导体基板的表面起贯穿体层以及第一半导体层并到达漂移层。沟槽栅具备被形成在沟槽的内壁上的栅绝缘膜和被配置于栅绝缘膜的内侧的栅电极。位于与半导体基板的体层相接的深度处的沟槽的内壁为半导体基板的(100)晶面。沟槽的在与长边方向垂直的短边方向上的宽度为，与成为从半导体基板的第一半导体层的下端到体层的下端为止的深度的位置处的宽度相比，成为半导体基板的表面的位置处的宽度较窄。 | ||
| 申请公布号 | CN105190897A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201380074750.7 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 岩崎真也 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 苏萌萌;范文萍 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：半导体基板，所述半导体基板包括：第一导电型的漂移层；第二导电型的体层，其被设置于漂移层的表面侧；第一导电型的第一半导体层，其被设置在体层的表面的一部分上；和沟槽栅，其从半导体基板的表面起贯穿体层以及第一半导体层并到达漂移层，沟槽栅具备被形成在沟槽的内壁上的栅绝缘膜和被配置于栅绝缘膜的内侧的栅电极，位于与半导体基板的体层相接的深度处的沟槽的内壁为半导体基板的(100)晶面，沟槽的在与长边方向垂直的短边方向上的宽度为，与成为从半导体基板的第一半导体层的下端到体层的下端为止的深度的位置处的宽度相比，成为半导体基板的表面的位置处的宽度较窄。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||