一种改善半导体功率器件中的注入控制方法

摘要

半导体功率器件可以形成在衬底结构上，具有第一导电类型的轻掺杂半导体衬底，或与第一导电类型相反的第二导电类型。第一导电类型的半导体第一缓冲层形成在衬底上方。第一缓冲层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度。第二导电类型的第二缓冲层形成在第一缓冲层上方，第二导电类型的外延层形成在第二缓冲层上方。外延层的掺杂浓度大于第二缓冲层的掺杂浓度。本摘要用于使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。

主权项

一种衬底结构，包括：一个第一导电类型或者与第一导电类型相反的第二导电类型的轻掺杂半导体衬底；一个第一导电类型的半导体第一缓冲层，形成在轻掺杂半导体衬底上方，其中第一缓冲层的掺杂浓度大于轻掺杂半导体衬底的掺杂浓度；一个第二导电类型的半导体第二缓冲层，形成在第一缓冲层上方；以及一个第二导电类型的半导体外延层，形成在第二缓冲层上方，其中外延层的掺杂浓度大于第二缓冲层的掺杂浓度。