晶体硅电池湿法刻蚀工艺中的水膜保护装置

摘要

本实用新型公开了一种晶体硅电池湿法刻蚀工序用水膜装置，包括一组或多组喷淋装置、一组或多组压缩空气吹气装置、主进水管道和主进气管道；喷淋装置和压缩空气吹气装置结构相同，二者分别均匀安装在湿法刻蚀设备硅片进入刻蚀槽之前的进料段，喷淋装置在前，压缩空气吹气装置在后，并且喷淋方向和吹气方向与硅片之间的夹角能在0°~90°之间调节；喷淋装置连接主进水管道，压缩空气吹气装置连接主进气管道；主进水管道和主进气管道上分别安装有减压阀。本实用新型在刻蚀前将硅片正面的表面形成一层均匀的纯水薄膜，在刻蚀过程中保护硅片正面不受刻蚀液的腐蚀。

主权项

一种晶体硅电池湿法刻蚀工序用水膜装置，其特征在于：包括一组或多组喷淋装置、一组或多组压缩空气吹气装置、主进水管道和主进气管道；喷淋装置和压缩空气吹气装置结构相同，二者分别均匀安装在湿法刻蚀设备硅片进入刻蚀槽之前的进料段，喷淋装置在前，压缩空气吹气装置在后，并且喷淋方向和吹气方向与硅片之间的夹角能在0°~90°之间调节；喷淋装置连接主进水管道，压缩空气吹气装置连接主进气管道；主进水管道和主进气管道上分别安装有减压阀。