发明名称 一种背接触太阳能电池及其制备方法
摘要 一种背接触太阳能电池,包括硅片基体,硅片基体背面上间隔设有N<sup>+</sup>第一导电区和P<sup>+</sup>第二导电区;N<sup>+</sup>第一导电区上设有第一电极,P<sup>+</sup>第二导电区上设有第二电极;所述N<sup>+</sup>第一导电区和P<sup>+</sup>第二导电区之间设有隔离区;所述第一电极和第二电极的顶面处于同一水平面上,且所述隔离区的顶面高于第一电极和第二电极的顶面。本发明通过在N<sup>+</sup>第一导电区和P<sup>+</sup>第二导电区之间设置隔离区,同时使电极矮于隔离区,很好地解决了电极印偏的问题;解决了因金属浆料偏移而导致的正电极和负电极短路的问题;大大提高了电池的稳定性。
申请公布号 CN105185849A 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201510412201.7 申请日期 2015.07.14
申请人 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 发明人 刘运宇;王栩生;邢国强
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人 陆金星
主权项 一种背接触太阳能电池,包括硅片基体(1),硅片基体背面上间隔设有N<sup>+</sup>第一导电区(2)和P<sup>+</sup>第二导电区(3);N<sup>+</sup>第一导电区上设有第一电极(4),P<sup>+</sup>第二导电区上设有第二电极(5);其特征在于:所述N<sup>+</sup>第一导电区和P<sup>+</sup>第二导电区之间设有隔离区(6);所述隔离区的高度高于N<sup>+</sup>第一导电区和P<sup>+</sup>第二导电区。
地址 215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号