发明名称 |
使用外延生长的膜形成方法及外延生长装置 |
摘要 |
本文介绍在构建由作为顶面的顶板、作为底面的基板安装部分,及作为侧面的侧壁界定及形成的反应腔室时,支撑件在顶板的圆周边缘自圆周边缘的上侧及外侧支撑顶板,并且反应气体在设置于侧壁中的反应气体供应路径中经整流,使得反应腔室中处于反应气体流动方向上的水平部件对应于一水平部件,该后一水平部件在自与反应腔室相对的反应气体供应路径的开口中心延伸至反应腔室中心的方向上。 |
申请公布号 |
CN105190841A |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201480013791.X |
申请日期 |
2014.03.13 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
冈部晃;森义信 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;赵静 |
主权项 |
一种使用外延生长的膜形成方法,所述方法在反应腔室中执行,所述反应腔室的顶面、底面及侧面由顶板、上面水平安装有基板的基板安装部分及侧壁界定及形成,所述顶板在所述顶板的圆周边缘处自所述圆周边缘的上侧及外侧得以支撑,所述膜形成方法包括以下步骤:将所述反应腔室加热至预定生长温度;在设置在所述侧壁中的反应气体供应路径中整流所述反应气体,以使得所述反应腔室中位于所述反应气体的流动方向上的水平部件与一水平部件对应,所述后一水平部件位于自与所述反应腔室相对的所述反应气体供应路径的开口中心延伸至所述反应腔室中心的方向上;在所述水平方向上将经整流的所述反应气体自所述反应气体供应路径引入所述反应腔室;使用所述反应气体在所述基板的所述顶表面上形成膜,同时使所述基板围绕在穿过所述基板安装部分中心的所述垂直方向上的轴旋转;及将用以形成所述膜的所述反应气体排出至排气路径,所述排气路径设置在与所述反应气体供应路径相对的所述侧壁中的位置处,所述反应腔室中心位于所述排气路径与所述反应气体供应路径之间。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |