| 摘要 |
본 발명은, 실리콘 웨이퍼에 경면연마공정을 실시한 실리콘 웨이퍼의 연마방법으로서, 상기 경면연마공정에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼에 조연마를 행하고, 그 후, 실리콘 웨이퍼의 표면에 대하여, 오존가스 또는 오존수를 이용한 산화처리 및 불산증기 또는 불산수용액을 이용한 산화막 제거처리에 의해, 실리콘 웨이퍼의 표면에 부착되어 있는 금속불순물을 제거하는 처리를 행하고 나서, 마무리연마를 행하는 실리콘 웨이퍼의 연마방법을 제공한다. 이에 따라, 경면연마공정에 의해 실리콘 웨이퍼에 PID가 발생하는 것을 방지할 수 있고, 경면연마공정 후의 실리콘 웨이퍼나, 후공정에서 에피택셜층을 적층한 에피택셜 웨이퍼의 표면품질의 악화를 방지할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 연마방법 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법이 제공된다. |
