一种基板的全距调控方法和装置

摘要

本发明公开了一种基板的全距调控方法，包括：根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得基板样本的全距变化值；根据全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标；利用第一层全距调整后基准坐标对待曝光基板进行第一层曝光工艺。上述方法根据基板实际全距值与期望全距值得到的全距变化值，在第一层曝光过程中根据全距变化值对待曝光基板的全距初始基准坐标进行调整，便可实现最终全距相对于热制程等工艺参数变更前无明显变化，或变化量极其微小，采用简单易行的操作实现在液晶盒对盒工艺过程中阵列基板与彩膜基板对盒的精准性。

主权项

一种基板的全距调控方法，其特征在于，所述方法包括：S1、根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得所述基板样本的全距变化值；S2、根据所述全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到所述待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标；S3、利用所述第一层全距调整后基准坐标对所述待曝光基板进行第一层曝光工艺；S4、将完成所述第一层曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果所述全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值，则进行步骤S5；S5、将所述全距误差值作为S2中所述的全距变化值，将所述第一层全距调整后基准坐标作为S2中所述的第一层全距初始基准坐标，进行步骤S2，获得新的第一层全距调整后基准坐标。