发明名称 |
一种消除首片效应的方法 |
摘要 |
一种消除首片效应的方法,首先根据预热腔室的特点建立出腔室温度与预热条件的关系,然后根据建立的关系再通过不同层次的退火温度建立不同的预热程式,最后根据不同的工艺程式单独调用适用的预热程式,达到消除首片效应的目的。这样的方法能够一对一的针对不同的工艺程式得到不同的预热制程,能够完全消除首片效应带来的影响,更加高效,提高了产品的良率。 |
申请公布号 |
CN105185691A |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201410274267.X |
申请日期 |
2014.06.18 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
谭秀文;赖朝荣;苏俊铭 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种消除首片效应的方法,其特征在于,首先,根据预热腔室的特点建立出腔室温度与预热条件的关系;然后,根据所述关系,通过不同层次的退火温度建立不同的预热程式;最后,根据不同的工艺程式单独调用适用的所述预热程式,使得首片效应产生的影响被消除。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |