| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括基板、设置于基板上的缓冲层、设置于缓冲层上的多晶硅层以及设置于多晶硅层上的二氧化硅层和纳米晶硅层，其中二氧化硅层和纳米晶硅层位于同一层。通过上述方式，本发明能够简化LTPS显示面板的制造过程并降低LTPS显示面板的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105185838A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510623515.1 | 申请日期 | 2015.09.25 |
| 申请人 | 武汉华星光电技术有限公司 | 发明人 | 虞晓江 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括基板、设置于所述基板上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的多晶硅层以及设置于所述多晶硅层上的二氧化硅层和纳米晶硅层，其中所述二氧化硅层和所述纳米晶硅层位于同一层。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 | ||