| 主权项 |
一种薄膜电晶体构造，系在基板上至少从基板侧开始，依序具备氧化物半导体层、源极和汲极电极、及保护膜之薄膜电晶体构造，其特征为：前述氧化物半导体层，系为第1氧化物半导体层，形成于源极和汲极电极及保护膜侧；以及第2氧化物半导体层，其金属元素系由从In、Ga、及Zn所成之群体当中所选择之至少1种元素所构成，且形成于基板侧之层积体，且前述第1氧化物半导体层，系与前述源极和汲极电极及保护膜直接接触，前述第1氧化物半导体层，其金属元素系仅由Zn所构成，或是由Zn以及从Al、Ga、及Sn所成之群体当中所选择之1种以上元素所构成，且Zn含有量占金属元素全体的50原子%以上(不包括100原子%)。
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