| 摘要 |
<p>高感度で、暗電流が少ない固体撮像装置及びその製造方法を提供する。本発明の固体撮像装置は、撮像領域と周辺回路領域とを有する半導体基板と、半導体基板の上に形成された配線層と、撮像領域の上方であって、配線層の上に、行列状に配置された複数の画素電極と、撮像領域の上方であって、配線層及び複数の画素電極の上に形成された光電変換膜と、光電変換膜の上に形成された上部電極とを有する。光電変換膜は、近赤外よりも長い波長域に基礎吸収端を有する第一の半導体からなる複数の井戸層と、第一の半導体よりもバンドギャップが広い第二の半導体または絶縁体からなる複数のバリア層とが交互に積層された積層構造を含んでいる。</p> |
