| 发明名称 |
改善された放射線特性を有する集積回路 |
| 摘要 |
<p>改善された放射線耐性を有する集積回路が記述される、集積回路は、基板と、基板に形成て、メモリセルの複数のＮ型トランジスタを有するＰウェルと、基板に形成されて、メモリセルの複数のＰ型トランジスタを有するＮウェルとを備える。Ｎウェルは、複数のＰ型トランジスタを収容するための最小の寸法を有する。</p> |
| 申请公布号 |
JP2015536574(A) |
申请公布日期 |
2015.12.21 |
| 申请号 |
JP20150544178 |
申请日期 |
2013.11.25 |
| 申请人 |
ザイリンクス インコーポレイテッドＸＩＬＩＮＸ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ |
发明人 |
ジャイン，プラフル;カープ，ジェイムズ;ハート，マイケル・ジェイ |
| 分类号 |
H01L21/8244;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/08;H01L27/092;H01L27/11 |
主分类号 |
H01L21/8244 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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