发明名称 三族氮化物矽上半导体结构和技术
摘要
申请公布号 TWI514616 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW102141046 申请日期 2013.11.12
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 达斯古塔 山萨塔克;陈汉威;拉多撒福杰维克 马可;穆可吉 尼洛依;乔 罗伯特
分类号 H01L33/02 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种积体电路,包含:结晶矽基板;在该结晶矽基板上的成核层;以及形成于该成核层上的第一半导体层,该第一半导体层包含:在该成核层上且包含复数个离散的三维半导体结构的非连续三维氮化镓(GaN)层;及在该三维GaN层上的二维GaN层。
地址 美国