首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
三族氮化物矽上半导体结构和技术
摘要
申请公布号
TWI514616
申请公布日期
2015.12.21
申请号
TW102141046
申请日期
2013.11.12
申请人
英特尔股份有限公司
发明人
达斯古塔 山萨塔克;陈汉威;拉多撒福杰维克 马可;穆可吉 尼洛依;乔 罗伯特
分类号
H01L33/02
主分类号
H01L33/02
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
一种积体电路,包含:结晶矽基板;在该结晶矽基板上的成核层;以及形成于该成核层上的第一半导体层,该第一半导体层包含:在该成核层上且包含复数个离散的三维半导体结构的非连续三维氮化镓(GaN)层;及在该三维GaN层上的二维GaN层。
地址
美国
您可能感兴趣的专利
MOBILE TERMINAL AND REMOTE LOCK PROGRAM
INFORMATION PROCESSING DEVICE AND MOBILE DEVICE
INFORMATION EMBEDDING METHOD, INFORMATION RESTORING METHOD, INFORMATION EMBEDDING DEVICE AND INFORMATION RESTORING DEVICE
IMAGE READING APPARATUS
SURFACE ACOUSTIC WAVE FILTER
AC/DC SEPARATION CIRCUIT AND POWER LINE CARRIER COMMUNICATION SYSTEM
RECEIVER SYSTEM
IMAGE FORMING APPARATUS AND COMMUNICATION METHOD
INTERCOM SYSTEM
SPEAKER AND METHOD OF MANUFACTURING VOICE COIL USED FOR THIS SPEAKER
INTERNET FACSIMILE APPARATUS
SEMICONDUCTOR DEVICE
POWER MOSFET WITH IMPROVED EDGE TERMINATION
ESD PROTECTION CIRCUIT FOR LOW VOLTAGES
VESSEL FOR HOUSING ELECTRONIC COMPONENT
CHIP-TYPE ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SUBSTRATE
FERROELECTRIC CAPACITOR AND ITS FABRICATION PROCESS
NOISE FILTER AND ITS MANUFACTURING METHOD
CAPACITIVE ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE COMPRISING THE SAME
METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM