发明名称 金属-绝缘体-金属电容器及其形成之方法
摘要
申请公布号 TWI514448 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW102128139 申请日期 2013.08.06
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 潘友鸿;王仁磐
分类号 H01L21/28;H01L29/78 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种形成金属-绝缘体-金属电容器之方法,包含:于一隔离层之上方形成一闸极堆叠,该闸极堆叠包含一闸极金属以作为一底电极;于该闸极堆叠之上方形成一介电层;于该介电层之上方形成一顶部金属层,该顶部金属层作为一顶电极;以及形成一第一接触插塞以电性连接至该闸极金属,该第一接触插塞穿透该介电层与该顶部金属层。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号