半導体磁器組成物の製造方法

摘要

非鉛のペロブスカイト型の半導体磁器組成物において、抵抗温度係数αが小さくなることを抑制でき、特性が安定して得られる半導体磁器組成物の製造方法を提供する。BaTiO3系酸化物におけるBaの一部をBiおよびA（AはNa,Li,Kのうち少なくとも一種）で置換した非鉛の半導体磁器組成物の製造方法であって、前記半導体磁器組成物を形成するための原料を700℃以上1300℃以下で仮焼し、前記の仮焼した原料に1300℃以上1450℃以下で液相となるBa及びTiを含む酸化物を添加し、成形し、その後、1300℃以上1450℃以下の温度で焼結することを特徴とする。