| 发明名称 | 改善矽穿孔工艺中刻蚀均匀性的方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI514469 | 申请公布日期 | 2015.12.21 |
| 申请号 | TW102139815 | 申请日期 | 2013.11.01 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 严利均;黄秋平 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 代理人 | 林志青 台北市信义区松隆路102号18楼之1 | |
| 主权项 | 一种改善矽穿孔工艺中刻蚀均匀性的方法，该方法包含以下步骤：在进行矽穿孔工艺过程中，设置静电卡盘的边缘区域的温度高于所述的静电卡盘的中心区域的温度；实现在进行矽穿孔工艺中的钝化工艺时，降低晶圆的边缘区域钝化形成的聚合物厚度，改善晶圆的边缘区域与中心区域之间的聚合物钝化的均匀度。 | ||
| 地址 | 中国 | ||