| 摘要 |
<p>본 발명의 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법은 비정질 아연 산화물(ZnO)계 반도체를 액티브층으로 사용하여 박막 트랜지스터를 제작할 때, 스퍼터(sputter)를 이용하여 산화물 반도체를 증착한 후 산소(O2) 유량의 조절을 통해 인-시추(in-situ)로 산화물 특성을 가지는 절연층을 증착하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의하면, 택 타임(tact time)을 감소시키는 한편 향상된 소자특성을 확보할 수 있는 효과를 가진다.</p> |
