形成间隔物侧壁上之含ＳｉＯＣｌ的层以预防间隔物蚀刻时之临界尺寸损失

主权项

一种实行间隔物蚀刻处理的方法，其步骤包含：在一位于一基板上的闸极结构上保形地涂敷一间隔物材料；以及实行一间隔物蚀刻处理程序，以自该闸极结构及该基板部分地移除该间隔物材料，同时保留位于沿着该闸极结构之一侧壁的一侧壁间隔物，该间隔物蚀刻处理程序包含：在该间隔物材料的一暴露表面上沉积一含SiOCl层以形成一间隔物保护层，实行一或多个蚀刻处理，以由该闸极结构的一帽盖区域及由该基板上邻近该闸极结构之一基部的一基板区域、选择性并且各向异性地移除该间隔物保护层及该间隔物材料，以及由该闸极结构的该侧壁选择性地移除该间隔物保护层的任何残留部分。