| 摘要 |
저 방사율 패널들을 형성하는 방법은 도전성 은 층을 위한 시드층을 촉진시키기 위해 기저층을 형성하는 것을 포함한다. 기저층은 더 평평한 표면 및 개선된 열 안정성과 함께 산화 아연 시드층 성장을 용이하게 할 수 있는 비정질 층 또는 나노결정질층일 수 있다. 기저층은 도핑된 산화 주석, 예컨대 Al, Ga, In, Mg, Ca, Sr, Sb, Bi, Ti, V, Y, Zr, Nb, Hf, Ta, 또는 이들의 임의의 조합으로 도핑된 산화 주석을 포함할 수 있다. 도핑된 산화 주석 기저층은 산화 아연에서 (002) 결정학적 배향의 성장에 영향을 줄 수 있고, 그 결과, 은 (111) 에 대한 시드층 템플릿 역할을 한다. |
