发明名称 低功率保护电路
摘要
申请公布号 TWI514415 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW102136241 申请日期 2013.10.07
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 威尔逊 艾伦约翰
分类号 G11C7/24;G11C16/02 主分类号 G11C7/24
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种低功率保护电路,适用于具有双操作电压的动态随机存取记忆体(DRAM),包括:一第一电压侦测器,接收一电压启动信号并藉由侦测所述电压启动信号的电压位准而产生一高压泵致能信号;一脉冲产生电路,接收所述电压启动信号并根据所述电压启动信号而产生一电压启动脉冲;一SR闩锁器,具有一设定端、一第一与一第二重置端与一输出端,所述设定端接收所述电压启动脉冲,所述第一与第二重置端依序接收所述高压泵致能信号与反向电压启动信号,而且所述输出端产生一输出信号;一第二电压侦测器,接收所述输出信号并藉由侦测所述输出信号的电压位准而产生一低压泵致能信号;以及一输出逻辑操作电路,接收所述低压泵致能信号与所述高压泵致能信号,并根据所述低压泵致能信号与所述高压泵致能信号而产生一泵致能信号,其中,所述泵致能信号用于致能或禁能所述动态随机存取记忆体的电压泵电路的操作。
地址 桃园市龟山区华亚科技园区复兴三路669号