光电转换装置及其制造方法

主权项

一种光电转换装置，包括：半导体基板，具有前表面和背表面，其中该半导体基板的该背表面设置有n型杂质区域及p型杂质区域；在该前表面上的金属层；在该金属层上的多个须状物，其中该多个须状物包含结晶半导体；在该n型杂质区域上的第一电极；在该p型杂质区域上的第二电极，其中，该多个须状物的每一个包括直径为大于或等于500nm且小于或等于3μm和长度为大于或等于1μm且小于或等于100μm之突起，以及其中，该多个须状物的反射率为小于或等于5%。