| 发明名称 | 非挥发性记忆体及其操作方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI514395 | 申请公布日期 | 2015.12.21 |
| 申请号 | TW102111914 | 申请日期 | 2013.04.02 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴冠纬;张耀文;杨怡箴;卢道政 |
| 分类号 | G11C16/34 | 主分类号 | G11C16/34 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种多层储存单元(MLC)之非挥发性记忆体于程式化之前根据预先设定之编码表(coding table)的变换临界电压分布之方法，包含：分组复数个储存单元，预先设定在相同主状态下，该些储存单元具有相同的第一位元电压；如果一预选主状态下之该些储存单元具有相同的预先设定之第二位元电压时，分组该预选主状态下之该些储存单元为相同的次状态；以及提高该些储存单元之该第一位元电压至一电压，其中该些储存单元具有最高预先设定之第二位元电压，且该电压高于该预先设定最高主状态之电压。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||