| 主权项 |
一种紫外线照射装置，其特征为：于具有紫外线穿透窗的被真空密封的容器内，配设有至少一个以上的半导体多层膜元件，及于该半导体多层膜元件照射电子线的电子线放射源所成，该半导体多层膜元件是具有：具依InxAlyGa1-x-yN(0≦x<1，0<y≦1，x+y≦1)所致的单一量子阱构造或多重量子阱构造的活性层，及形成于该活性层的上面的铝或铝合金的金属粒子所构成，且具有具依该金属粒子所致的奈米构造的金属膜所成，来自上述电子线放射源的电子线系藉由被照射至上述半导体多层膜元件，使得紫外线经由上述紫外线穿透窗被放射至外部。 |
