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发明名称
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF THEREOF
摘要
<p>반도체 소자 및 그 형성방법이 제공된다. 이 반도체 소자의 형성방법은 기판 상에 복수의 원소를 포함하는 게이트 유전막을 형성하는 것, 게이트 유전막에 특정 원소를 공급하는 것, 복수의 원소 중 적어도 한 원소와 특정 원소를 반응시켜 생성물을 형성하는 것 및 생성물을 제거하는 것을 포함할 수 있다.</p>
申请公布号
KR101578520(B1)
申请公布日期
2015.12.18
申请号
KR20080102538
申请日期
2008.10.20
申请人
삼성전자주식회사
发明人
현상진;신유균;조학주;홍형석
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
地址
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