发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF THEREOF
摘要 <p>반도체 소자 및 그 형성방법이 제공된다. 이 반도체 소자의 형성방법은 기판 상에 복수의 원소를 포함하는 게이트 유전막을 형성하는 것, 게이트 유전막에 특정 원소를 공급하는 것, 복수의 원소 중 적어도 한 원소와 특정 원소를 반응시켜 생성물을 형성하는 것 및 생성물을 제거하는 것을 포함할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101578520(B1) 申请公布日期 2015.12.18
申请号 KR20080102538 申请日期 2008.10.20
申请人 삼성전자주식회사 发明人 현상진;신유균;조학주;홍형석
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
地址