| 摘要 |
L'invention concerne une cellule photoélectrique de type C-MOS à transfert de charge, du type comprenant une photodiode enterrée (PPD) susceptible d'être exposée à des photons, formée par une zone dopée d'un premier type dans un substrat de type opposé, et des moyens pour transférer les charges générées par l'exposition de la photodiode aux photons vers une diffusion flottante (FD), et des moyens pour lire sur la diffusion flottante une tension représentative de la quantité de charges transférée, Cette cellule est remarquable en ce que la zone de désertion de la jonction de la photodiode sous tension de polarisation nulle s'étend essentiellement dans toute l'épaisseur de la zone dopée de premier type, de telle sorte que la capacité de jonction de ladite photodiode et le bruit d'origine capacitive sont minimisés, et en ce que lors de l'exposition aux photons, la lecture est effectuée sous condition d'équilibre entre la génération de charges par photo-conversion et la perte de charges par évaporation. On propose également un capteur matriciel formé de telles cellules avec des moyens formant barrière à la diffusion des charges évaporées d'une cellule vers une cellule adjacente. |
