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<p>Ein Photosensor für die Erfassung von Infrarotstrahlung im Wellenlängenbereich von 1 bis 1000 Mikrometern besteht aus einem Halbleitersubstrat mit einem hochdotierten Wechselwirkungsvolumen für die einfallende Strahlung. An der Kante dieses hochdotierten Bereichs wird eine ausgedehnte Gate-Elektrode platziert, die aus einem leitenden Material auf einer Isolationsschicht besteht. Auf der anderen Seite der Gate-Elektrode ist ein anderer hochdotierter Halbleiterbereich platziert, der als Ladungskollektor agiert. Durch freie Trägerabsorption in dem Wechselwirkungsvolumen vermitteln einfallende Photonen ihre Energie an bewegliche Ladungsträger. In dem Fall von freien Elektronen wird die Gate-Elektrode leicht unterhalb der Rücksetzspannung des Wechselwirkungsvolumens vorgespannt, sodass die Elektronen, die die zusätzliche Energie der absorbierten Photonen tragen, vorwiegend den Übergang von dem Wechselwirkungsvolumen über den Gate-Elektrodenbereich zu dem Ladungskollektorvolumen durchführen können, dessen Potential ausreichend hoch eingestellt wurde, sodass die gesammelten freien Elektronen in diesem Halbleiterbereich verbleiben. Die gesammelten freien Ladungsträger werden elektronisch mit bekannten Schaltungen zum Messen von elektrischem Strom oder Ladungspaketen erfasst. Eine Vielzahl solcher Infrarotphotosensorbauelemente können in ein- oder zweidimensionalen Anordnungen angeordnet werden, um Linien- oder Bildsensoren zu bilden.</p> |
