| 摘要 |
<p>Es wird ein Halbleiterchip (10) angegeben, bei dem es sich insbesondere um einen optoelektronischen Halbleiterchip handelt, der ein strukturiertes Substrat (30) aufweist, das an einer Oberfläche (31) eine Struktur von Vertiefungen (32) aufweist, die unterseitig jeweils durch einen glatten Endbereich (34) begrenzt werden, oder eine Struktur von Erhebungen (33) aufweist, die oberseitig jeweils durch einen glatten Endbereich (34) begrenzt werden, wobei die Endbereiche (34) zueinander lateral beabstandet angeordnet sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips angegeben.</p> |
