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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum monolithischen Abscheiden einer einkristallinen, bei Anregung leuchtenden, aus mehreren Elementen der IV-Hauptgruppe bestehende IV-IV-Schicht, insbesondere einer GeSn oder SiGeSn Schicht mit einer Versetzungsdichte kleiner 106 cm–2 auf einem IV-Substrat, insbesondere einem Silizium- oder Germanium-Substrat mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Hydrids eines ersten IV-Elementes (A) beispielsweise Ge2H6 oder Si2H6; Bereitstellen eines Halogenids eines zweiten IV-Elementes (B) beispielsweise SnCl4; Aufheizen des Substrates auf eine Substrattemperatur, die geringer ist als die Zerlegungstemperatur des reinen Hydrids oder eines daraus gebildeten Radikals und ausreichend hoch ist, dass Atome des ersten Elementes (A) und des zweiten Elementes (B) in kristalliner Ordnung in die Oberfläche eingebaut werden, wobei die Substrattemperatur insbesondere in einem Bereich zwischen 300°C und 475°C liegt; Erzeugen eines Trägergasstroms aus einem inerten Trägergas, insbesondere N2, Ar, He, welches insbesondere kein H2 ist; Transportieren des Hydrids und des Halogenids sowie daraus entstandene Zerfallsprodukte zur Oberfläche bei einem Totaldruck von maximal 300 mbar; Abscheiden der IV-IV-Schicht oder einer aus gleichartigen IV-IV-Schichten bestehende Schichtenfolge mit einer Dicke von mindestens 200 nm, wobei die abgeschiedene Schicht insbesondere eine SiyGe1-x-ySn-Schicht ist, mit x > 0,08 und y ≤ 1. |
