| 摘要 |
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, den Wert des Stroms zu erhöhen, der durch den gesamten Chip fließt, bis eine p-n-Diode in einer Einheitszelle in der Nähe von einem Abschluss arbeitet, und die Größe des Chips und die Kosten des Chips zu verringern, die sich aus der verkleinerten Größe ergeben. Die vorliegende Erfindung beinhaltet einen zweiten Wannenbereich (31), der so angeordnet ist, dass er die Gesamtheit einer Mehrzahl von ersten Wannenbereichen (30) darin in der Draufsicht sandwichartig aufnimmt, einen dritten Trennungsbereich (23), der so angeordnet ist, dass er den zweiten Wannenbereich von einer Oberflächenschicht des zweiten Wannenbereichs in der Tiefenrichtung durchdringt, und eine zweite Schottky-Elektrode (75), die auf dem dritten Trennungsbereich angeordnet ist. |
