| 摘要 |
<p>Eine MOS-Gate-Struktur, enthaltend ein p-Basisgebiet (3), eine p-Epitaxialschicht (4), ein n++-Source-Gebiet (5), ein p+-Kontaktgebiet (6), ein n-Inversionsgebiet (7), einen Gate-Isolierfilm (8) und eine Gate-Elektrode (9), und eine Vorderseitenelektrode (13) sind auf der Vorderseite eines durch Niederschlagen einer n–-Epitaxialschicht (2) auf der Vorderseite eines SiC-Substrats (1) erhaltenen Epitaxialsubstrats vorgesehen. Ein erster Metallfilm (21) ist auf der Oberfläche der Vorderseitenelektrode (13) so vorgesehen, dass er 10% oder mehr der Oberfläche der Vorderseitenelektrode (13), vorzugsweise 60% bis 90% der Oberfläche der Vorderseitenelektrode (13) bedeckt. Der SiC-MOSFET wird durch Bilden einer Rückseitenelektrode (15), Bilden des ersten Metallfilms (21) auf der Oberfläche der Vorderseitenelektrode (13) und Durchführen von Tempern in einer N2-Atmosphäre hergestellt. Gemäß diesem Aufbau ist es möglich, einen Rückgang der Gate-Schwellenspannung in einer einen SiC-Halbleiter verwendenden Halbleitervorrichtung zu unterdrücken.</p> |
