光電変換装置の製造方法および光電変換装置

摘要

第１導電型の半導体領域を有するｎ型単結晶シリコン基板１上に第２導電型の半導体層を形成する工程を含み、ｐｎ接合を形成して、光電変換装置を製造する方法であって、前記半導体層を形成する工程が、プラズマＣＶＤ法により真性半導体層４ａｉを形成する工程と、前記真性半導体層４ａｉの表面にドーパントが化学吸着するように、前記ドーパントを含むドーピングガス（ＤＧ）を供給し、前記真性半導体層４ａｉをドーピングして、前記導電型の半導体層を形成するドーピング工程とを含む。