| 摘要 |
<p>Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben. Der Halbleiterchip (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Unterseite (10) und einer der Unterseite (10) gegenüberliegenden Oberseite (14). Von der Unterseite (10) aus gesehen weist die Halbleiterschichtenfolge (1) eine erste Schicht (11) eines ersten Leitungstyps, eine aktive Schicht (12) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung und eine zweite Schicht (13) eines zweiten Leitungstyps in dieser Reihenfolge auf. Der Halbleiterchip (100) umfasst ein auf der Unterseite (10) angebrachtes unteres Kontaktelement (2) und ein auf der Oberseite (14) angebrachtes oberes Kontaktelement (3) zur Einprägung von Strom in die Halbleiterschichtenfolge (1). Auf der Unterseite (10) ist ein Stromverteilungselement (43) angebracht, das im Betrieb Strom entlang der Unterseite (10) verteilt und von dem aus sich eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (41, 42) durch die erste Schicht (11) und durch die aktive Schicht (12) in die Halbleiterschichtenfolge (1) erstreckt. Im Betrieb wird über das obere Kontaktelement (3) in die Halbleiterschichtenfolge (1) eingeprägter Strom zumindest teilweise über erste der Durchkontaktierungen (41) zur Unterseite (10) geführt, dort mittels des Stromverteilungselements (43) verteilt, über zweite der Durchkontaktierungen (42) in Richtung Oberseite (14) geführt, und wieder in die Halbleiterschichtenfolge (1) injiziert.</p> |
