| 摘要 |
可撓性多重安定要素（５）を作る方法であって、− ビーム（Ｐ）がビーム（Ｐ）よりも少なくとも１０倍大きい断面を有する剛質量体（ＭＵ）の２つの端（Ｅ１、Ｅ２）を接続するように、ケイ素部材（Ｓ）をエッチングするステップと、− ビーム（Ｐ）上で、第１のケイ素コア（Ａ１）の断面に対するＳｉＯ2の第１の周部層（ＣＰ１）の断面の第１の比（ＲＡ）が１よりも大きく、質量体（ＭＵ）上で、第２のケイ素コア（Ａ２）の断面に対するＳｉＯ2の第２の周部層（ＣＰ２）の断面の第２の比（ＲＢ）が第１の比（ＲＡ）の１００分の１未満であるように持続時間が調整される、１１００℃でＳｉＯ２を成長させるステップと、− 質量体（ＭＵ）がビーム（Ｐ）よりも大きく冷却され収縮する際に、座屈形成によってビーム（Ｐ）を変形するために、周囲温度まで冷却するステップとを有する。【選択図】 図２３Ｃ |
