化学機械研磨後に半導体デバイス基板を洗浄するための洗浄組成物および方法

摘要

銅相互接続部を有する半導体デバイスをＣＭＰ後洗浄するための水性洗浄組成物および方法であって、洗浄組成物は、（Ａ）Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、ならびに（Ｂ）尿酸、キサンチン、テオフィリン、パラキサンチン、テオブロミン、カフェイン、グアニン、ヒポキサンチン、アデニン、およびそれらの組合せから本質的になる群から選択される少なくとも１種の腐食防止剤を含む、水性洗浄組成物および方法。