双垂直沟道晶体管

摘要

本发明公开了一种双垂直沟道晶体管，包括音叉型基底，其包括两个尖叉部；埋入式位线，埋入凹槽的底部，其中凹槽位在音叉型基底的两个尖叉部间；第一源/漏极区，位在音叉型基底内并紧邻埋入式位线；第二源/漏极区，位在音叉型基底的两个尖叉部的顶部；至少一绝缘栅极结构，埋入第二凹槽的底部，其中第二凹槽设置在尖叉部的至少一侧，且绝缘栅极结构的顶面高于埋入式位线的顶面；前栅极，位在音叉型基底的第一侧面上；及后栅极，位在音叉型基底相对于第一侧面的第二侧面上。

主权项

一种双垂直沟道晶体管，其特征在于，包括：音叉型基底，包括两个尖叉部；埋入式位线，埋入第一凹槽的底部，其中所述第一凹槽位在所述音叉型基底的两个尖叉部间；第一源/漏极区，位在所述音叉型基底内，且紧邻所述埋入式位线；第二源/漏极区，位在所述音叉型基底的两个尖叉部的顶部；至少一个绝缘栅极结构，埋入第二凹槽的底部，其中所述第二凹槽设置在所述尖叉部的至少一侧，且所述绝缘栅极结构的顶面高于所述埋入式位线的顶面；前栅极，位在所述音叉型基底的第一侧面上；及后栅极，位在所述音叉型基底相对于所述第一侧面的第二侧面上。