发明名称 清洁气体输送装置的方法、生长薄膜的方法及反应装置
摘要 一种清洁一薄膜生长反应腔内的一气体输送装置的方法,所述气体输送装置包括一气体输送表面,用于向所述反应腔内释放反应气体,所述反应腔内包括一支撑装置,所述方法包括:a)提供一清洁装置,并使之可分离地安装在所述支撑装置上,所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构;b)提供一旋转驱动装置,其与所述支撑装置相连接,并可选择性地带动其旋转;c)调整所述清洁装置的位置,使所述刮擦结构至少部分地接触所述气体输送装置的所述气体输送表面;d)旋转所述旋转驱动装置以带动所述清洁装置旋转,所述刮擦结构接触所述气体输送表面,并将附着在所述气体输送表面上的附着聚集物移除下来。
申请公布号 CN102251228B 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201110073624.2 申请日期 2011.03.25
申请人 中微半导体设备(上海)有限公司 发明人 杜志游;荒见淳一;孙一军
分类号 C23C16/455(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;B08B9/00(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁
主权项 一种清洁一薄膜生长反应腔内的一气体输送装置的方法,所述气体输送装置包括一气体输送表面,用于向所述反应腔内释放反应气体,所述反应腔内包括一支撑装置,用于在薄膜生长工艺中可分离地支撑一基片托架,所述基片托架用于承载进行薄膜生长的基片,所述支撑装置连接一旋转驱动装置和一升降驱动装置,所述旋转驱动装置驱动所述支撑装置带动所述基片托架旋转,所述升降驱动装置驱动所述支撑装置调整高度,用于装载或卸载所述基片托架,其特征在于,所述方法包括:a)薄膜生长工艺结束后,将所述基片托架自所述支撑装置上方卸载,并移出至所述反应腔外;b)提供一清洁装置至所述反应腔内,并使之可分离地安装在所述支撑装置上,所述清洁装置包括一面向所述气体输送表面的一表面,所述表面上分布有若干刮擦结构;c)启动所述升降驱动装置,调整所述清洁装置的位置,使所述刮擦结构至少部分地接触所述气体输送装置的所述气体输送表面,启动所述旋转驱动装置,旋转所述支撑装置,所述支撑装置带动所述清洁装置旋转,所述刮擦结构接触所述气体输送表面,并将附着在所述气体输送表面上的附着聚集物移除下来;d)从反应腔内移出所述清洁装置,将承载有待进行薄膜生长基片的基片托架移入所述反应腔内进行后续薄膜生长工艺。
地址 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号