用于硅太阳能电池的改善的金属化方法

摘要

提供了一种在硅太阳能电池的表面发射极上形成接触部的方法。在该方法中，进行表面的n型扩散以形成具有10-40Ω/ζ的薄层电阻的掺杂的发射极表面层。然后回蚀刻该发射极表面层以增加发射极表面层的薄层电阻。最后该表面被选择性镀覆。一种制造硅太阳能电池的方法包括进行n型掺杂剂的前表面发射极扩散，然后通过PECVD在前表面上进行电介质沉积。该电介质沉积包括：a.薄硅氧化物的生长；b.氮化硅的PECVD沉积以获得氮化硅。然后该硅被退火以驱使氢从氮化硅层进入硅中从而钝化该硅。

主权项

一种在包括硅材料的基板的硅太阳能电池的表面发射极上形成发射极接触部的方法，所述方法包括：(i)通过进行所述基板的表面的n型扩散以形成具有10‑40Ω/每平方的薄层电阻的掺杂发射极表面层形成所述表面发射极；(ii)回蚀刻所述发射极表面层以增加所述发射极表面层的薄层电阻并在所述基板的发射极表面处实现少于10²⁶原子/m³的掺杂剂浓度；(iii)将一个或多个表面介电层沉积在所述基板的所述回蚀刻表面层上；(iv)使所述介电层在局部区域内图案化以暴露所述基板的硅表面的区域，在那里将形成所述接触部；和(v)在其中将要形成接触部的所述暴露的区域中选择性镀覆所述基板的所述硅表面以产生与所述发射极表面层的电连接。