| 发明名称 | 一种提高HVPE法生长氮化物均匀性的单晶炉腔体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种提高HVPE法生长氮化物均匀性的单晶炉腔体，包括盐酸气体管氨气气体管、载气管和衬底基座，盐酸气体管、氨气气体管从腔体顶端不沿腔体中轴面但与腔体中轴线对称、间距与衬底基座半径相同处插入腔体内且其管出气口处距衬底基座距离为15-18mm，固定于腔体顶端面，一根载气管沿腔体中轴线插入腔体内并固定于腔体顶端面，衬底基座沿中轴线固定于腔体下端且可转动，转动速度为290-310转/min。技术效果是，实现了HVPE法生长AlN单晶外延层均匀性的控制，大大减少了腔体内的预反应，提高了AlN的结晶质量。 | ||
| 申请公布号 | CN105154969A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510675000.6 | 申请日期 | 2015.10.19 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 发明人 | 张嵩;陈建丽;齐成军;王再恩;兰飞飞 |
| 分类号 | C30B25/14(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人 | 胡京生 |
| 主权项 | 一种提高HVPE法生长氮化物均匀性的单晶炉腔体，包括盐酸气体管（1）、氨气气体管（2）、载气管（3）和衬底基座（4），其特征在于：盐酸气体管（1）、氨气气体管（2）从腔体顶端不沿腔体中轴面但与腔体中轴线对称、间距与衬底基座（4）半径相同处插入腔体内且其管出气口处距衬底基座（4）距离为15‑ 18mm，固定于腔体顶端面，一根载气管（3）沿腔体中轴线插入腔体内并固定于腔体顶端面，衬底基座（4）沿中轴线固定于腔体下端且可转动，转动速度为290‑310转/min。 | ||
| 地址 | 300220 天津市河西区洞庭路26号 | ||