| 发明名称 | 加工多晶硅表面的方法以及加工基板表面的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种加工多晶硅表面的方法和加工基板表面的方法。加工多晶硅表面的方法包括：使用化学机械抛光的工艺加工多晶硅表面；其中，在使用化学机械抛光的工艺加工多晶硅表面之前，在多晶硅表面上沉积SiNx薄膜。本发明的方法加工后的多晶硅表面粗糙度达到低于6nm的水准。 | ||
| 申请公布号 | CN105161413A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510604497.2 | 申请日期 | 2015.09.21 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 陆小勇;龙春平;刘建宏;詹裕程;李小龙;刘政 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 胡良均 |
| 主权项 | 一种加工多晶硅表面的方法，包括：在多晶硅表面上沉积材料薄膜；使用化学机械抛光工艺加工沉积了材料薄膜的多晶硅表面；其中，所述材料薄膜选择为使得在抛光过程中多晶硅优先被去除。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||