发明名称 |
晶圆级芯片封装方法 |
摘要 |
本发明提供一种晶圆级芯片封装方法,包括:1)提供一载体,于所述载体的表面形成粘合层;2)于所述粘合层表面形成介质层;3)将半导体芯片正面朝下地附着于所述介质层表面;4)采用注塑工艺对各半导体芯片进行封装;5)分离所述粘合层及介质层,以去除所述载体及粘合层;6)基于所述介质层对所述半导体芯片形成重新布线层;7)于所述重新布线层上进行植球回流工艺,形成微凸点。本发明通过在粘合层与半导体芯片之间制作介质层,避免了粘合层与半导体芯片直接粘合而造成半导体芯片被污染的问题。通过本发明的封装方法,可以将封装过程中半导体芯片被污染的情况得到极大的控制,从而提高半导体芯片的成品率及电性能。 |
申请公布号 |
CN105161465A |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201510486611.6 |
申请日期 |
2015.08.10 |
申请人 |
中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
发明人 |
林正忠;仇月东 |
分类号 |
H01L23/14(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/14(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
罗泳文 |
主权项 |
一种晶圆级芯片封装方法,其特征在于,所述晶圆级芯片封装方法包括步骤:1)提供一载体,于所述载体的表面形成粘合层;2)于所述粘合层表面形成介质层;3)将半导体芯片正面朝下地附着于所述介质层表面;4)采用注塑工艺对各半导体芯片进行封装;5)分离所述粘合层及介质层,以去除所述载体及粘合层;6)基于所述介质层对所述半导体芯片形成重新布线层。 |
地址 |
214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号 |