半导体器件的电极及其形成方法

摘要

一种III-N半导体HEMT器件，其包括在III-N材料结构上的电极界定层。该电极界定层具有凹进部，该凹进部具有接近于漏极的第一侧壁和接近于源极的第二侧壁，每个侧壁都包括多个台阶。远离III-N材料结构的凹进部的部分比接近III-N材料结构的凹进部的部分具有更大的宽度。电极在凹进部中，该电极包括在第一侧壁上方的延伸部分。电极界定层的一部分在延伸部分和III-N材料结构之间。第一侧壁相对于III-N材料结构的表面形成第一有效角，第二侧壁相对于III-N材料结构的表面形成第二有效角，第二有效角大于第一有效角。

主权项

一种III‑N晶体管，包括：III‑N材料结构；源极和漏极；具有厚度的电极界定层，所述电极界定层在所述III‑N材料结构的表面的上方，所述电极界定层具有凹进部，所述凹进部具有接近于所述漏极的第一侧壁和接近于所述源极的第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁中的每个侧壁包括多个台阶，其中，所述凹进部的远离于所述III‑N材料结构的部分具有第一宽度，并且所述凹进部的接近于所述III‑N材料结构的部分具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；以及在所述凹进部中的电极，所述电极包括至少部分地在所述第一侧壁的上方的延伸部分；其中，所述第一侧壁相对于所述III‑N材料结构的所述表面形成第一有效角，并且所述第二侧壁相对于所述III‑N材料结构的所述表面形成第二有效角，所述第二有效角大于所述第一有效角。