| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
一种适合于微型化的半导体装置。一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成半导体的制程；在半导体的上方形成第一导电体的制程；对第一导电体进行第二加工，以便形成对应于第一图案的导电体的制程；在具有第一图案的导电体的上方形成第一绝缘体的制程；在第一绝缘体中形成开口的制程；在开口中对具有第一图案的导电体进行第三加工，以便形成第一电极和第二电极，并且使半导体露出的制程；在第一绝缘体、开口的内壁以及半导体的被露出的部分的上方形成第二绝缘体的制程；在第二绝缘体的上方形成第二导电体的制程；以及对第二导电体进行第四加工，以便形成第三电极的制程。 |
| 申请公布号 |
TW201546885 |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
| 申请号 |
TW104107755 |
申请日期 |
2015.03.11 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
远藤佑太 ENDO, YUTA;野田耕生 NODA, KOSEI |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/41(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L51/50(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
