半导体装置的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置的制作方法，其步骤包括：提供一半导体基底，且半导体基底包括有一第一有源区以及一第二有源区。接着，依次于半导体基底上形成一含掺杂剂的第一导电层以及一未含掺杂剂的第二导电层。然后，对第一有源区的第二导电层进行一第一离子注入工艺，其中第一离子注入工艺所使用的掺杂剂与第一导电层的掺杂剂不同。

主权项

一种半导体装置的制作方法，其特征在于，包含：提供半导体基底，且所述半导体基底包括有第一有源区以及第二有源区；依次在所述半导体基底上形成含掺杂剂的第一导电层以及未含掺杂剂的第二导电层，其中位于所述第一有源区以及第二有源区上的第一导电层具有同类型掺杂剂，其中所述第一导电层以及所述第二导电层包括多晶硅；对所述第一有源区的所述第二导电层进行第一离子注入工艺，其中所述第一离子注入工艺所使用的掺杂剂与所述第一导电层的掺杂剂类型不同，使位于所述第一有源区上的所述第二导电层和所述第一导电层具有不同导电型；以及对所述第二有源区的所述第二导电层进行第二离子注入工艺，其中所述第二离子注入工艺所使用的掺杂剂与所述第一导电层的掺杂剂类型相同，使位于所述第二有源区上的所述第二导电层和所述第一导电层具有相同导电型。