| 发明名称 | 氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体发光技术领域，具体涉及氮化嫁基紫外半导体发光二极管及其制作方法；包括依次层叠设置的蓝宝石衬底层、氮化嫁缓冲层、非掺杂氮化嫁层、N型氮化嫁层、多个周期对的AlGaN/InGaN多量子阱层、P型铝镓氮层、P型氮化镓层及渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层，所述渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层为组分均匀渐变的(Al<sub>x</sub>In<sub>1-x</sub>)<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N四元合金层；本发明可减少对紫外光的吸收，提高发光效率，并且禁带宽度逐渐减少，同时降低了元器件的工作电压，延长了元器件的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN105161583A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510352936.5 | 申请日期 | 2015.06.24 |
| 申请人 | 广西盛和电子科技股份有限公司 | 发明人 | 于浩;赵玉娟;甘君锋;尹宝堂;汤献忠 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 氮化嫁基紫外半导体发光二极管，其特征在于：包括依次层叠设置的蓝宝石衬底层、氮化嫁缓冲层、非掺杂氮化嫁层、N型氮化嫁层、多个周期对的AlGaN/InGaN多量子阱层、P型铝镓氮层、P型氮化镓层及渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层，所述渐变非掺杂铝镓铟氮表面接触层为组分均匀渐变的(Al<sub>x</sub>In<sub>1‑x</sub>)<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N四元合金层。 | ||
| 地址 | 535000 广西壮族自治区钦州市高新技术产业开发区曙光园C1-2标准厂房 | ||