发明名称 | 包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路 | ||
摘要 | 提供了用于包括信号放大的多种应用的电子电路和方法。示例电子电路包括处于级联配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括布置在沟道上面和下面的顶和底栅极。JFET的顶栅极由依赖于控制MOSFET的栅极的信号的信号控制。JFET的底栅极的控制可以依赖于或者独立于顶栅极的控制。MOSFET和JFET可以作为具有不同的诸如栅极宽度之类的尺寸的相同的衬底上的分离的元件来实施。 | ||
申请公布号 | CN102414984B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
申请号 | CN201080017947.3 | 申请日期 | 2010.04.12 |
申请人 | ACCO半导体公司 | 发明人 | A·布拉卡勒;D·玛斯利亚 |
分类号 | H03F3/14(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/14(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
主权项 | 一种电子电路,其包括:MOSFET,其包括源极、漏极和栅极;JFET,其与所述MOSFET有区别,并且包括源极、漏极、顶栅极和底栅极,所述JFET的源极直接耦合到所述MOSFET的漏极;以及共用节点电路,耦合在地与共用节点之间,所述共用节点在所述MOSFET的漏极和所述JFET的源极之间,其中所述共用节点电路补偿所述MOSFET的栅极到漏极电容和所述JFET的栅极到源极电容的影响。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |