发明名称 Verfahren zum Dotieren eines stabfoermigen Koerpers aus Halbleitermaterial,insbesondere aus Silizium,mit Bor
摘要
申请公布号 DE1419656(A1) 申请公布日期 1969.10.02
申请号 DE19611419656 申请日期 1961.05.16
申请人 SIEMENS AG 发明人 KONRAD REUSCHEL,DR.DIPL.-CHEM.
分类号 C30B13/10;H01L21/00;H05K3/18 主分类号 C30B13/10
代理机构 代理人
主权项
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