发明名称 采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题
摘要 采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题,主要解决等离子体化学气相沉积生产过程中,在多个腔体进行跑片时,由于机械手调度的问题,导致其中某个腔体空闲,从而引起的第一片效应的问题。该方法是在腔体空闲时间歇的通入一定气体,来加强加热盘与喷淋板之间的传热,从而保持腔体的一种稳定状态,消除第一片效应。实现步骤:1)载物台控温;2)工艺前处理;3)腔体空闲;4)间歇通气;5)工艺前处理;6)工艺片的沉积。本发明能够简单有效地消除等离子体化学气相沉积生产过程中,由于腔体的空闲导致的第一片效应。可广泛应用于半导体薄膜制造及应用技术领域。
申请公布号 CN105161403A 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201510477068.3 申请日期 2015.08.06
申请人 沈阳拓荆科技有限公司 发明人 吕光泉;刘忆军;戚艳丽;宁建平;李培培;杨艳
分类号 H01L21/205(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I 主分类号 H01L21/205(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 甄玉荃;霍光旭
主权项 采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题,其特征在于:该方法是通过下述步骤实现:1)载物台控温:下电极通过热偶准确控制温度;2)工艺前处理:在腔室内进行沉积,刻蚀操作;3)腔体空闲:由于机械手调度出现腔室空闲;4)间歇通气:间歇从反应腔室的上电极通入气体;5)工艺前处理:在腔室内进行沉积,刻蚀操作;6)工艺片的沉积。
地址 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层