一种在管状基底内表面沉积薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在管状基底内表面沉积薄膜的方法，包括下列步骤：将需镀膜的管状基底置于反应室内，将反应室抽真空；向反应室内通入第一种反应前驱体；向反应室内通入惰性气体，将未吸附的多余前第一种反应前驱体排出反应室；向反应室内通入第二种反应前驱体，与第一种反应前驱体反应；向反应室内通入惰性气体，将未反应的多余第二种反应前驱体以及反应副产物排出反应室；重复上述步骤(2)至(5)，每重复一次，生成一个单原子层薄膜，直到膜层厚度满足要求为止。本发明解决了现有的各种真空镀膜技术只能在平面或形状不太复杂的曲面上沉积薄膜，无法实现在管状基底内表面沉积薄膜的技术问题。

主权项

一种在管状基底内表面沉积薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：(1) 将需镀膜的管状基底置于反应室内，将反应室抽真空；(2) 以脉冲形式向反应室内通入第一种反应前驱体，在需镀膜的基底内表面以化学吸附形成一个单原子层；(3) 向反应室内通入惰性气体，将未吸附的多余前第一种反应前驱体排出反应室；(4) 以脉冲形式向反应室内通入第二种反应前驱体，与第一种反应前驱体反应，在需镀膜的管状基底内表面生成一个单原子层薄膜；(5) 向反应室内通入惰性气体，将未反应的多余第二种反应前驱体以及反应副产物排出反应室；(6) 重复上述步骤(2)至(5)，每重复一次，生成一个单原子层薄膜，直到膜层厚度满足要求为止。